美国TE CONNECTIVITY的技术支持各种测量功能，如压力、温度、位置、振动、湿度和液体特性等。他们的工程师致力于帮助客户将概念转化为产品：使用严苛环境下久经考验的智能、高效和高性能TE产品，重新定义性能的极限。传感器可增强他们观察及分析周围世界的能力。想象与实现之间的区别就在于传感器所检测到的内容。以下就是我们为您介绍的TE CONNECTIVITY传感器概述,美国TE CONNECTIVITY传感器类型，深圳市华联欧国际贸易有限公司专业原装采购，质优价廉，100%正品保证，价格优惠，货期快，型号全。华联欧专注欧美采购10余年，信誉强，口碑好，在线客服，报价快，欢迎广大客户采购！

一、,美国TE CONNECTIVITY公司介绍
TE Connectivity(TE)是提供传感器的全球技术领先企业，可帮助企业、组织和政府机构精确测试和测量他们的产品和创新。他们的测试和测量(T&M)传感器组合是业界最全面的传感器之一。借助跨越压力、位置、振动和力这四个主要类别的传感器技术，他们能够利用这些技术为广泛的市场应用开发定制的解决方案。他们在T&M解决方案的开发方面享誉全球，世界各地的OEM都开始信赖他们的创新。通过各方关系，他们提供了一种咨询方式，将深度的技术专长与行业解读相结合来应对特定的T&M需求。他们与客户密切合作，致力于通过创新的方式应对当今最大的应用挑战。

二、美国TE CONNECTIVITY传感器概述
传感器是一种用于测量压力、位置、温度或加速度等属性，并通过反馈作出反应的设备。TE Connectivity(TE)是全球技术领导者，其传感器和连接技术对于当今日益紧密互连的世界至关重要。TE是全球最大的传感器公司之一。他们的传感器对于新一代数据推动型技术来说至关重要。他们提供不同传感器类型，应用于汽车、工业、医疗、家用电器、航空航天、国防以及工商业运输等多个领域。

三、美国TE CONNECTIVITY传感器产品优势
各向异性磁阻(AMR)传感器是精确的非接触式设备，可对传感器感测到的磁场角度变化进行测量。TE Connectivity(TE)的磁传感器可在苛刻环境中提供可靠的非接触式位移测量。例如，利用AMR效应的独特特性，可在交通流量检测传感器中检测地球磁场中有汽车造成的微小干扰，以及在精密线性编码器中测量亚微米级的位移。AMR技术还成功用于存在性检测（如气缸中的终点检测）。各向异性磁阻(AMR)传感器无需使用物理端子即可提供精确可靠的数据。它们具备出色的重复性、较短的响应时间和较高的开关频率。

四、美国TE CONNECTIVITY传感器产品性能怎么样
①优异的重复性
②快速响应时间
③高开关频率
④耐用、低成本的旋转和线性编码器
⑤获得专利的与温度无关的翻转磁场
⑥依赖于磁场方向，几乎与实际的磁场强度无关，从而将温度和老化效应降至最低
⑦可精确测量同质杂散磁场，非常适合严苛环境
⑧提供1、2、2.5和5mm的磁极距；可应要求提供不同的磁极间距

五、美国TE CONNECTIVITY传感器产品结构原理
监控温度、压力、张力或流量等属性的传感器会提供与所需参数直接相关的输出信号。另一方面，磁传感器不同于大多数的这类检测器，因为磁传感器通常不是直接测量相关的物理属性，而是检测变化，或者由物体或事件造成或改变的磁场干扰。因此，磁场可能带有与方向、存在状态、旋转、角度或电流等属性相关的信息，而这些信息将由磁传感器转换为电压。少数磁传感器是完全测量磁场，例如指南针中测量地磁场。输出信号需经过一些信号处理以转换为所需参数。显然，磁场分布取决于产生或干扰磁场的物体（即磁体、电流等）或事件的距离和形式。因此，在应用设计中，应始终考虑传感器和产生磁场的物体这两方面的因素，这一点非常重要。尽管磁传感器的使用难度更大，但却能提供精确、可靠的数据，而且无需使用物理连接。

六、美国TE CONNECTIVITY传感器操作说明
对亨特元件施加低磁场只会引起磁化的轻微变化，反过来公式(1)中的余弦项将很难随α的轻微变化发生变化。亨特元件对较小的磁场强度不敏感。为了使MR传感器能够感应到低磁场，必须修改MR传递曲线(1)。最常用的方式是通过巴伯极来实现。巴伯极是很小的高导电金属条，放置在坡莫合金的顶部。受几何结构作用，其将对坡莫合金中的电流进行分流并改变电流通路，但并不会改变磁性行为。巴伯极间隙之间的电流将沿最短的通路传递，例如垂直于巴伯极。

七、美国TE CONNECTIVITY传感器类型
磁阻传感器基本可分为两个类别。在高磁场应用中，例如施加场的磁场强度高到足以使软磁传感器材料达到饱和（约为H>10 kA/m）时，传感器中的磁化矢量始终（几乎）平行于施加场。磁阻高磁场传感器的一个常见应用是非接触式角度传感器，例如KMT32B、KMT36H或MLS位移传感器。在低磁场应用中，磁化矢量主要由带条的形式决定，因为磁化显示了纵向流变的自然偏好。外部磁场导致带条中磁化的α扭曲，这在MR效应的作用下改变了电阻。此模式中通常会使用线性低磁场传感器，例如MR174B冲模、KMY传感器和MS32等开关传感器。

八、美国TE CONNECTIVITY传感器作用
KMZ10CM是一款基于完善的磁阻传感器技术的线性磁场传感器。它以非常低的磁滞生成线性信号输出。传感器可设计用于多种应用，包括非接触式开关、非接触式位移测量、电流测量和小磁场的极性检测。由于其特色属性（高灵敏度和几乎没有磁滞），KMZ10CM传感器适用于多种应用，如磁场测量、转数表、接近感应以及位移测量。

九、美国TE CONNECTIVITY传感器细节
无论是平行还是反平行于外部磁场，磁畴的静磁能都是相同的。也就是说，稳态环境下的磁畴可能在两个方向之间摇摆不定。使用高磁场传感器后，就不会出现此问题，因为α的传递曲线是二次型。但使用巴伯极传感器时，会产生戏剧性效果，因为现在输出信号也发生了变化。正因如此，诸如巴伯极传感器之类的低磁场磁阻传感器必须通过外部附加磁场(Hx)进行稳定（偏磁），而该外部磁场最好是沿MR带条方向（即X方向）。该磁场的唯一任务是确定磁畴校准的优先方向。偏磁场必须足够强大，以确保干扰磁场无法转变磁畴。有实证研究发现，偏磁场强度大于2.5 kA/m左右即可确保传感器保持适当性能。

十、美国TE CONNECTIVITY传感器技术数据
①磁传感器产品类型：低磁场传感器
②磁传感器包装：SOT4W
③传感范围(kA/m)：-6–6
④信号输出：无源模拟
⑤典型信号振幅(mV/V)：7
⑥典型工作电压(V)：5
⑦典型平均电流(mA)：4
⑧传感范围(kA/m)：-6–6
⑨工作温度范围：-40–150°C[-40–302°F]
⑩信号输出无源模拟：
⑪典型信号振幅(mV/V)7
⑫磁传感器包装：SOT4W

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