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ONSEMI驱动器
名称:  ONSEMI驱动器
型号:  NCD5701
品牌:  ONSEMI
产地:  美国
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发布时间:  2022-03-30
浏览次数:  445
产品详情

onsemi在内部以及通过他们与医疗保健、成像和医疗设备制造商的合作伙伴关系,在医疗应用领域开发了广泛的知识产权组合。他们的客户依赖他们的产品寿命,支持他们漫长的产品开发和监管审批周期以及可能跨越数十年的整个产品生命周期。护理点技术和设备的兴起允许在患者附近进行更多测试和诊断,从而提高有效性和成功率。医学检测技术的进步以及液体活检等非侵入性基因组诊断的最低限度为患者提供了改进的即时诊断和更快的治疗选择。在过去的几十年里,onsemi通过项目经理、客户服务资源和产品营销经理为铸造项目提供支持,从设计工程到原型再到生产。欧洲和美国的铸造专家可以直接进行工厂技术交流,以确保成功。以下就是我们深圳市华联欧国际贸易有限公司为您介绍的ONSEMI驱动器,美国ONSEMI驱动器产品信息等,我们的目标是给客户快速的反应,迅捷的货期,划算的价格。我们的宗旨是渠道创新,诚信服务,让顾客更加满意!欢迎前来咨询,期待与您的长期合作!

1、美国ONSEMI驱动器产品介绍
NCV5705B是一款大电流、高性能独立IGBT驱动器,适用于大功率汽车应用,包括PTC加热器、牵引逆变器、高压DC-DC和其他辅助子系统。该器件通过消除外部输出缓冲器提供了一种具有成本效益的解决方案。器件的保护功能包括准确的欠压锁定(UVLO)、去饱和保护(DESAT)和有源开漏故障输出。该驱动器还具有精确的5.0 V输出。该驱动器旨在适应宽电压范围的偏置电源,包括单极甚至双极电压。NCV5705B采用8引脚SOIC封装。为了实现最大的灵活性,所有照明输出都可以通过PWM输入(外部信号源)或内部可编程PWM发生器单元进行PWM控制。NCV7707通过具有帧内响应的24位SPI接口进行控制。

2、美国ONSEMI驱动器产品描述
NCP51513是130 V半桥驱动器,具有高驱动电流能力和DC-DC电源和逆变器选项。NCP51513在高频率工作时提供一流的传播延迟、低静态电流和低开关电流。该器件专为在高频下工作的高效电源量身定制。可提供两个版本以用于传播延迟。使用滤波器版本,它具有典型的50 ns传播延迟,而没有滤波器版本,它具有20 ns的典型传播延迟。内部80 ns死区时间和互锁功能可保护输出MOSFET免受交叉传导事件的影响。启用功能提供了额外的系统灵活性并有助于降低功耗。

3、美国ONSEMI驱动器产品作用
NCD57200是一款高压栅极驱动器,带有一个非隔离低侧栅极驱动器和一个电流隔离高侧或低侧栅极驱动器。它可以直接驱动半桥配置中的两个IGBT。隔离式高侧驱动器可以使用隔离式电源或自举技术从低侧电源供电。高侧栅极驱动器的电流隔离可确保IGBT在高达800 V、高dv/dt的高功率应用中可靠切换。优化的输出级提供了一种降低IGBT损耗的方法。其特性包括两个具有死区时间和互锁功能的独立输入、精确的非对称UVLO以及短且匹配的传播延迟。NCD57200在其VCC/VB高达20 V的情况下运行。

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4、美国ONSEMI驱动器产品原理
GaN速度很快,因为器件电容很低,它们可以反向传导(第三象限)而没有反向恢复电荷,这在硬开关应用中是一个真正的好处。因此,损失较低,但也带来了一些不利因素。一个缺点是这些器件没有雪崩电压额定值,栅极驱动非常关键,典型的绝对最大电压额定值仅为+/-10V,而其他类似的硅器件则为+/-20V。另一个是增强型(E型)GaN是一种常关器件,其栅极开启阈值也低于Si,约为1.5V,而3.5V。至关重要的是,实现更低损耗、更高功率密度和高可靠性的预期优势取决于经过优化并具有强大保护功能的栅极驱动电路。

5、美国ONSEMI驱动器产品特点
CS3341/3351集成交流发电机稳压器集成电路为汽车三相交流发电机提供电压调节。它驱动外部达林顿电源以控制交流发电机励磁电流。在充电故障的情况下,提供灯输出引脚来驱动能够打开故障指示灯的外部达林顿晶体管。过压或无STATOR信号条件会激活灯输出。NCV7707是一款强大的汽车车身控制系统驱动器。该设备旨在控制车辆前部的多个负载。单片IC能够控制镜面定位、加热和折叠等镜面功能,包括电致变色镜面功能。除了两个用于控制锁和安全锁电机的半桥输出外,该器件还具有四个高侧输出来驱动LED或白炽灯泡(最高10W)。

6、美国ONSEMI驱动器产品优势
①2.0 A拉电流、3 A灌电流输出能力
②适用于高功率和高效率
③自举电源电压高达150V
④适用于48V DC/DC转换器
⑤典型上升/下降时间为9 ns/7 ns,负载为1 nF
⑥大功率和高频设计
⑦传播延迟50 ns A版,20 ns B版
⑧在速度和抗噪性之间进行折衷
⑨通道间最大9 ns延迟匹配
⑩轻松并联MOSFET或栅极驱动器
⑪1/2桥拓扑中的自我保护
⑫内部80 ns死区时间
⑬有助于最小化交叉传导电流-其他值可能
⑭对高压瞬变具有良好的免疫力

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